机译:SOI金属氧化物半导体场效应晶体管光子探测器中衬底电压对噪声特性和空穴寿命的影响
机译:SiGe双量子阱p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴限制和1 / f噪声特性
机译:双间隔物对栅全硅纳米线P型金属氧化物半导体场效应晶体管的电气特性对电特性和随机电报噪声的影响
机译:(100)和(110)硅衬底之间的晶体取向差异对高k /金属栅金属氧化物半导体场效应晶体管特性的内在影响
机译:衬底偏置对SOI MOSFET单光子检测器中的噪声和少数载流子寿命的影响
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中的噪声。
机译:具有常关特性的反相沟道金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:基于单孔计数的SOI金属氧化物半导体场效应晶体管光子探测器
机译:在刚性和柔性基板上的自对准,极高频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管。